请教EPI是什么工艺？
外延(EpiTAxy,简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(Si/Si)，也可以是异质外延层(SiGe/Si或SiC/Si等)；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)，常压及减压外延(ATMRPEpi)等等。
外延(Epitaxy,简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(Si/Si)，也可以是异质外延层(SiGe/Si或SiC/Si等)；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)，常压及减压外延(ATMRPEpi)等等。
真空进料装置原理？
真空进料装置是一种常用于真空系统中的装置，主要目的是在不破坏真空度的情况下，将固体、液体或气体进料到真空系统中。其原理基于气体物理学和流体力学，下面是一种常见的真空进料装置原理。
其基本组成包括环形隔断壳体、细小孔径的进料管、推动气缸和进料夹具等组件。当需要将物料进料时，物料通过进料管进入环形隔断壳内，随后通过进料夹具被固定住。接着，推动气缸开始运作，将进料夹具推送穿过环形隔断壳体，并将物料放置在目标位置。
在运行过程中，进料管内部通过真空泵排气，产生较低的压力，这种压力差会产生流动进料的效果。同时，通过进料管的气流还可以清除管道中的杂质，从而避免污染和泄漏。
总的来说，真空进料装置可以实现稳定、高效的物料进料，具有不破坏真空度、环保、安全等优点，广泛应用于各种真空系统中，如半导体行业、航空航天领域等。
ig真空计原理？
IG真空计是指离子规管真空计，它是一种用于测量极低压力的仪器。
其原理是利用离子规管中的离子电流与气体压力之间的关系来测量真空度。
IG真空计的原理基于离子规管的工作原理。
离子规管中有一个阴极和一个阳极，当施加高压电场时，阴极会发射出电子，电子与气体分子碰撞后会产生离子。
这些离子会受到电场的作用而移动到阳极，形成一个电流。
当气体压力增加时，离子的数量也会增加，从而导致电流的增大。
IG真空计的原理可以应用于很多领域，例如在真空技术中的监测和控制、半导体制造过程中的真空度测量等。
IG真空计具有精度高、响应速度快、可靠性好等优点，因此在科研实验室、工业生产等领域得到广泛应用。
同时，随着科技的不断发展，人们对真空度的要求也越来越高，因此IG真空计的研究和改进也在不断进行中。
n型半导体的能带是怎么形成的？
一、n型半导体
n型半导体的n取自negative的首字母
掺杂、缺陷,都可以造成导带中电子浓度的增高。对于硅、锗类半导体材料,掺杂磷P、砷As、锑Sb等Ⅴ族元素,当杂质原子以替带方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主donor，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素.某些氧化物半导体,如ZnO、Ta2O5等,其化学配比往往呈现缺氧.这些氧空位能表现出施主的作用,又叫施主杂质，因而该类氧化物通常呈电子导电性,即是N型半导体,真空加热,能进一步加强缺氧的程度,这表现为更强的电子导电性.